集成電(diàn)路(lù)産業(yè)俗稱“芯”片産業(yè)，是(shì)現(xiàn)代化(huà)産業(yè)體(tǐ)系的(de)核心樞紐。長(ch↓áng)期以來(lái)，我國(guó)集成電(diàn)路(lù)産業(yè)在關鍵核心技(jì)術(shù)方面的(de)缺失，一(yī)直是(shì)制(zhì)約其向高(gδāo)端領域攀升的(de)重要(yào)因素。
近(jìn)日(rì)，濟南(nán)市(shì)《2025年(nián)國(guó)民(mín)經濟∞和(hé)社會(huì)發展計(jì)劃》正式發布，其中明(míng)确提出要(yào)加快(kuài)培π育産業(yè)新動能(néng)，重點打造第三代半導體(tǐ)産業(yè)高(gāo)地(dì)。
中國(guó)“芯”要(yào)中國(guó)造。在第三代半導體(tǐ)快(kuài)速發展的(de)當下(xià)，國(guó)內(nè§i)很(hěn)多(duō)城(chéng)市(shì)正在加碼布局，力争實現(xiàn)“彎道(dào)超車(chē)”。→作(zuò)為(wèi)黃(huáng)河(hé)流域中心城(chéng)市(shì)，經濟大(dà)省省會(huì)，濟σ南(nán)又(yòu)如(rú)何以“芯”為(wèi)筆(bǐ)，在“卡脖子(zǐ)”領域破局突圍？
提到(dào)濟南(nán)的(de)半導體(tǐ)産業(yè)，還(hái)要(yào)追溯到(dào)半個(gè)多(duō)世紀前。1964年(nián)，濟南(nán)半φ導體(tǐ)研究所生(shēng)産的(de)二極管，成功應用(yòng)于我國(guó)第一(yī)台百萬次電(diàn)子(zǐ')計(jì)算(suàn)機(jī)，不(bù)僅标志(zhì)著(zhe)我國(guó)計(jì)算(suàn)機 (jī)技(jì)術(shù)的(de)重大(dà)突破，也(yě)為(wèi)濟南(nán)半導體(tǐ≤)産業(yè)的(de)發展埋下(xià)了(le)伏筆(bǐ)。 進入21世紀，随著(zhe)全球半導體(tǐ)産業(yè)的(de)快(kuài)速發展，濟南(nán)也(yě)加快(kuài)了(le)在λ這(zhè)一(yī)領域的(de)布局。2008年(nián)，濟南(nán)獲批“國(guó)家(jiā)集成電(diàn)路(lù)設計(jì)産業(yè)化(huà)基地(dì)”，≠為(wèi)濟南(nán)半導體(tǐ)産業(yè)彙聚人(rén)才、技(jì)術(shù)、資金(jīn)等資源搭建了(le)廣闊的(de)舞(wǔ)台，産業(yè)發展開(kāi)始步入快(kuài)車(chē)道(dào)。 特别是(shì)在《中國(guó)制(zhì)造2025》計(jì)劃提出後，半導體(tǐ)産業(yè)作(zuò)為(wèi)信息技(jì)術(shù)、機(jī)器(qσì)人(rén)、新能(néng)源汽車(chē)等前沿領域的(de)核心支撐，成為(wèi)濟南(nán)重點發展的(<de)對(duì)象。為(wèi)此，濟南(nán)發布了(le)《關于促進集成電(diàn)路(lù)産業(yè)發展的(de)意見(jiàn)》δ，明(míng)确提出“到(dào)2025年(nián)形成500億級産業(yè)規模”的(de)λ目标，并配套最高(gāo)2000萬元的(de)财政獎補政策，為(wèi)産業(yè)發展注入強心劑。 近(jìn)年(nián)來(lái)，濟南(nán)市(shì)在半導體(tǐ)産業(yè)領域$持續發力，在關鍵核心技(jì)術(shù)突破與産業(yè)項目推進方面成果豐碩。比如(rú)，在碳化(huà)矽襯底技(jì)術(shù)領域，山♥(shān)東(dōng)天嶽先進一(yī)馬當先，其導電(diàn)型碳化(huà)矽襯底全球市(shì)☆場(chǎng)占有(yǒu)率高(gāo)達12%，穩居世界第二的(de)寶座，且8英寸産品性能(néng)與國(guó)©際行(xíng)業(yè)巨頭相(xiàng)比毫不(bù)遜色。在氮化(huà)镓單晶襯底方面，山(shān)東(dōng)晶镓半導體(tǐ)成功實現(xiàn)2英寸GaNα單晶襯底的(de)量産，填補了(le)國(guó)內(nèi)相(xiàng)關領域的(de)空(kōng)白(bái)，為(wèi₩)5G通(tōng)信、新能(néng)源汽車(chē)等對(duì)高(gāo)性能(néng)半導體(tǐ)材料有(yǒu)著(zhe)迫切需求的≠(de)新興領域提供了(le)關鍵支撐。而在激光(guāng)芯片領域，華光(guāng)光(guāng)電(diàn)自(zì)主研發的(de)千瓦級碟片激↕光(guāng)器(qì)泵浦源，有(yǒu)力推動了(le)高(gāo)端激光(guāng)裝備國(guó)産化→(huà)替代進程，使我國(guó)高(gāo)端激光(guāng)裝備逐步擺脫對(duì)進口産品的(de)依賴。這(zhè)些(xiē)成績的(de)取得(de)，充分(fēn)彰顯了(le)濟南(nán)半導體(tǐ)産業(yè)在技(jì)術(shù)創新方面的(de)強大(dà)實力與→決心，也(yě)為(wèi)濟南(nán)打造半導體(tǐ)産業(yè)高(gāo)地(dì)奠定了(le)堅實基礎。
半導體(tǐ)産業(yè)是(shì)一(yī)個(gè)高(gāo)技(jì)術(shù)、高(gāφo)附加值的(de)産業(yè)，對(duì)于提升城(chéng)市(shì)競争力具有(yǒu)重要(yào)意義。 去(qù)年(nián)8月(yuè)12日(rì)，世界集成電(diàn)路(lù)協會(huì)發布2023年(nián)全球集成電(diàn)路(lù)σ産業(yè)綜合競争力百強城(chéng)市(shì)白(bái)皮書(shū)，濟南(nán)入選全球半導體(tǐ)産業(yè)百強榜。 在國(guó)外(wài)技(jì)術(shù)封鎖的(de)艱難時(shí)刻，濟南(nán)半導體σ(tǐ)産業(yè)能(néng)夠迅猛崛起，得(de)益于這(zhè)座城(chéng)市(shì)雄厚的(de)教育資源與強大(dà)的(de)科(k₽ē)研實力，為(wèi)半導體(tǐ)産業(yè)的(de)産學研協同創新築牢了(le)根基，構築起天然優勢。 比如(rú)，山(shān)東(dōng)中晶芯源半導體(tǐ)碳化(huà)矽（SiC）單晶襯底材料，其技(jì)術(shù)來(lái)源于山(shān)東(dōng)大(dà)學晶∏體(tǐ)材料國(guó)家(jiā)重點實驗室。公司與山(shān)東(dōng)大(dà)學建立了(le)全方位的(de)産學研合作(zuò)關系，設£有(yǒu)山(shān)東(dōng)大(dà)學晶體(tǐ)材料國(guó)家(jiā)重點實驗室産業(yè)化(huà)基地(dì)、山(shān)≥東(dōng)大(dà)學研究生(shēng)聯合培養基地(dì)和(hé)山(shān)東(dōng)大(dà)學—中晶芯源碳化(huà)矽半導體(tǐ)聯合實驗室。 比如(rú)，山(shān)東(dōng)恒元半導體(tǐ)科(kē)技(jì)有(yǒu)限公司與山(shān)東(dōng)大(dà)學、濟南(nán)大(dà)©學的(de)科(kē)研團隊合作(zuò)，經過兩年(nián)的(de)攻關，經曆了(le)數(shù)十次失敗，研發團隊相(xiàng)繼攻克12英寸铌酸锂晶體(tǐ)生(shēng)産設備ε的(de)設計(jì)、晶體(tǐ)生(shēng)長(cháng)及缺陷控制(zhì)、晶體(tǐ)後處理(lǐ)等全鏈條關€鍵核心技(jì)術(shù)，終于在全球首先突破了(le)12英寸铌酸锂晶體(tǐ)生(shēng)長(cháng)技(jì)術(shù)，标志(zhì)著(z¥he)我國(guó)光(guāng)電(diàn)子(zǐ)産業(yè)關鍵材料的(de)發展水(shuǐ)平取得(de)重大(dà)™突破。 還(hái)有(yǒu)，山(shān)東(dōng)晶镓半導體(tǐ)董事(shì)長(cháng)張雷的(de)學術(shù)背景，正是(sδhì)濟南(nán)“教授董事(shì)長(cháng)”現(xiàn)象的(de)生(shēng)動注腳。在濟南(nán)，這(zhè)↔種高(gāo)校(xiào)與科(kē)研機(jī)構的(de)深度聯動，不(bù)僅為(wèi)半導體(tǐ)産業(yè)技(jì)術(shù)創新提供了(l✘e)源頭活水(shuǐ)，更為(wèi)産業(yè)突破“卡脖子(zǐ)”難題注入了(le)強勁動力，使濟南(nán)在半≤導體(tǐ)領域具備從(cóng)基礎研究到(dào)成果轉化(huà)的(de)全鏈條競争力，為(wèi)打造第三代半導體(tǐ)産業(yè)高(gāo)地(dì)築牢了(le)智力支撐與創新生(shēng)态。 當然，企業(yè)和(hé)高(gāo)校(xiào)、科(kē)研院所的(de)聯動也(yě)少(shǎo)不(bù)了(le)市(shì)委、市(shì≈)政府的(de)助力。為(wèi)了(le)讓科(kē)學家(jiā)“不(bù)願轉”“不(bù)敢轉”變為(wèi)“想轉化(huà)”“敢轉化(huà)”，讓科(kē)技(jì)©“成果”變為(wèi)“金(jīn)果”。濟南(nán)聚力突破關鍵核心技(jì)術(shù)，搶占産業(yè)發展新賽道(dào)，↔支持高(gāo)校(xiào)院所聯合企業(yè)建設概念驗證中心，布局建設濟南(nán)市(shì)量子(←zǐ)信息概念驗證中心、濟南(nán)市(shì)集成電(diàn)路(lù)概念驗證中心、濟南(nán)市(shì)高(g≤āo)端醫(yī)療裝備概念驗證中心、濟南(nán)市(shì)智能(néng)技(jì)術(shù)與裝備概念驗證中心、濟南(nán)市(shì)铌酸锂光(guāng)電(©diàn)集成芯片概念驗證中心，讓濟南(nán)科(kē)技(jì)創新之路(lù)将越走越穩。
在全球貿易摩擦、技(jì)術(shù)封鎖時(shí)有(yǒu)發生(shēng)的(de)大(dà)背景下(xià)，實現(xiàn)半導體(tǐ)産業(yè)的(de)自(zì)主可(kě)控，打造中國(guó)“芯”，成為(wèi)我國(guó)産業(yè)升級與國(guó)家(jiā)安全的(de)必由之路(lù)。 此時(shí)，濟南(nán)劍指第三代半導體(tǐ)産業(yè)高(gāo)地(dì)，無疑是(shì<)順應時(shí)代大(dà)勢、契合國(guó)家(jiā)戰略之舉。 按照(zhào)濟南(nán)集成電(diàn)路(lù)産業(yè)規劃——到(dào)2025年(nián)，♣濟南(nán)集成電(diàn)路(lù)設計(jì)能(néng)力将明(míng)顯提升，材料、制(zhì)造、封測技(jì)術(shù)和(hé)産能(néng)形成重大(dà)突破>，産業(yè)鏈閉環生(shēng)态基本形成；培育8—10家(jiā)龍頭企業(yè)，20家(jiā)以上(shàng)具有(yǒu)核心競争力的(de)領軍領先δ企業(yè)，形成500億級産業(yè)規模，在功率器(qì)件(jiàn)、集成電(diàn)路(lù)設計(jì)領域打♣造具有(yǒu)較強競争力的(de)産業(yè)集聚高(gāo)地(dì)和(hé)創新發展高(gāo)地(dì)。 在政策支持方面，濟南(nán)可(kě)謂不(bù)遺餘力。除了(le)出台一(yī)系列全面且極具針對(d>uì)性的(de)支持政策外(wài)，濟南(nán)還(hái)積極舉辦各類半導體(tǐ)産業(yè)論壇和(hé)活動。諸如(rú)2025年(nián)濟南(nán)槐蔭經濟開(kāi∞)發區(qū)半導體(tǐ)專用(yòng)設備産業(yè)發展論壇、2024山(shān)東(dōng)集成電(diàn)路(lù)産教融合創新≠發展對(duì)接交流活動等。這(zhè)些(xiē)活動的(de)成功舉辦，為(wèi)半導體(tǐ)産業(yè)的(de)發展搭建起廣闊的(☆de)交流平台，有(yǒu)力促進了(le)産學研用(yòng)各方的(de)深度融合，讓知(zhī)識、技(jì)♥術(shù)、資本、人(rén)才等要(yào)素在交流碰撞中實現(xiàn)高(gāo)效配置，為(wèi)濟南(nán)半導體(tǐ)産業(yè)的(de)發展營造了(le)良好(hǎo) 的(de)創新生(shēng)态和(hé)發展環境。 在産業(yè)集群方面，濟南(nán)寬禁帶半導體(tǐ)産業(yè)園成效顯著。作(zuò)為(wèi)山(shān)東(dōng)省重點打造的(de)半導體(tǐ)産業(yè)集₽聚區(qū)，園區(qū)以寬禁帶半導體(tǐ)為(wèi)核心，涵蓋研發、中試、生(shēng)産、辦公、生(shēng)活配套全産業(yè)鏈，彙聚了(le)山(shān↔)東(dōng)力冠微(wēi)電(diàn)子(zǐ)裝備有(yǒu)限公司、山(shān)東(dōng)天嶽先進科(kē)技(jì)股份有(y™ǒu)限公司等優秀企業(yè)，形成上(shàng)下(xià)遊貫通(tōng)、産研用(yòng)一(yī)體(tǐ)、大(dà)中小(xiǎo)企業(yè)協同的←(de)發展生(shēng)态。此外(wài)，園區(qū)還(hái)為(wèi)企業(yè)提供研發支持，推動行(xíng)業(yè)領軍企業(yè)向中小(x±iǎo)企業(yè)開(kāi)放(fàng)創新資源要(yào)素和(hé)應用(yòng)場(chǎng)景；配套專家(jiā)公寓、餐廳等設施；聯合政府、π投資機(jī)構提供産業(yè)基金(jīn)支持；定期舉辦行(xíng)業(yè)論壇、技(jì)術(↔shù)交流會(huì)，幫助企業(yè)對(duì)接上(shàng)下(xià)遊資源等。 相(xiàng)信在不(bù)久的(de)将來(lái)，濟南(nán)定能(néng)在第三代半導體(tǐ)産業(yè)高(gāo)地(dì)的(de)建設道(dào)路(l±ù)上(shàng)穩步邁進，實現(xiàn)半導體(tǐ)産業(yè)的(de)高(gāo)質量跨越式發展，為(wèi)我國(guó)半導體(tǐ)産業(y±è)的(de)自(zì)主可(kě)控與繁榮發展貢獻強大(dà)的(de)濟南(nán)力量，讓濟南(nán)的♣(de)“芯”光(guāng)閃耀世界舞(wǔ)台。
